SK海力士開始量產第四代10nm制程技術DRAM產品，采用EUV技術

SK海力士宣布，已在本月開始量產基于1a nm級工藝技術的8Gigabit（Gb）LPDDR4移動端DRAM產品，這屬于第四代10nm制程技術，是專為移動終端開發的低功耗DRAM規格。

10nm級DRAM產品開始，半導體業內將每一代工藝節點都以標注字母的方式起名，第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm，SK海力士預計從今年下半年開始就可以向智能手機制造廠商供應1a nm級工藝技術的移動端DRAM產品。這次比較特別的是，SK海力士通過部分采用了EUV（極紫外）技術，完成了對其穩定性的驗證，首次使用EUV光刻設備進行量產。

SK海力士表示，非常期待新技術帶來的生產力提升，并在成本上進一步提升競爭力。預計采用1a nm級工藝技術可以在使用相同尺寸晶圓的情況下，生產的DRAM產品數量比前一代的1z nm級工藝技術增加25%，這有助于緩解全球市場的供應短缺情況。隨著技術的遷移，越來越多的半導體企業采用EUV光刻設備生產芯片，一家半導體企業在技術上的領先取決于如何充分利用DUV光刻設備。

新產品的速率將穩定在4266 Mbps，是標準LPDDR4移動端DRAM規范中最快的傳輸速率，同時功耗將降低20%，SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術應用于旗下的DDR5產品。在未來，三星和美光都將啟用EUV光刻設備生產DRAM產品，但美光會更晚一些，按計劃要等到2024年。